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聚酰亞胺耐電暈及TSDC測(cè)試結(jié)果
日期：2023-08-01 人氣：1104
提出對(duì)納米雜化聚酰亞胺薄膜進(jìn)行電暈預(yù)處理，并對(duì)電暈預(yù)處理后的試樣進(jìn)行耐電暈及TSDC測(cè)試，比較結(jié)果可得到以下結(jié)論：
1)在適當(dāng)?shù)碾姇烆A(yù)處理?xiàng)l件下，納米雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽命會(huì)得到一定程度的提高。
2)納米雜化聚酰亞胺薄膜中受陷電荷的能級(jí)狀態(tài)隨電暈預(yù)處理過(guò)程發(fā)生變化，隨著電暈預(yù)處理時(shí)間的增加，受陷電荷會(huì)在交變電場(chǎng)的作用下遷移擴(kuò)散，逐漸深入材料內(nèi)部形成能級(jí)較深的受陷狀態(tài)，并在電暈預(yù)處理時(shí)間增加到一定長(zhǎng)度時(shí)達(dá)到平衡。
3)納米雜化聚酰亞胺薄膜的耐電暈壽命與薄膜中載流子的受陷狀態(tài)有關(guān)，當(dāng)材料中均勻分布能級(jí)較深的穩(wěn)定的載流子陷阱時(shí)，材料表現(xiàn)出較好的耐電暈性能。通過(guò)研究受陷空間電荷與材料耐電暈壽命之間的關(guān)系，可以從電介質(zhì)材料的化學(xué)、物理結(jié)構(gòu)的角度對(duì)材料進(jìn)行優(yōu)化，為進(jìn)一步提高其耐電暈壽命提供理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)、檢驗(yàn)手段。