微電子工業(yè)對(duì)于材料的性能要求是多種多樣的，也是十分苛刻的。若要實(shí)現(xiàn)高耐熱性、低介電常數(shù)、低吸水率、低熱膨脹系數(shù)(CTE)、低應(yīng)力、與基材的高粘附性以及加工工藝的多樣性等要求，就必須在分子水平上對(duì)傳統(tǒng)的聚酰亞胺材料進(jìn)行分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，然后采用適當(dāng)?shù)闹圃旒夹g(shù)合成所需要的聚酰亞胺材料。
分子設(shè)計(jì)是以對(duì)聚酰亞胺結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系、影響聚酰亞胺性能的各種因素、集成電路對(duì)所用聚酰亞胺材料的性能要求以及聚酰亞胺薄膜制造工藝等關(guān)鍵因素的深刻了解為基礎(chǔ)，同時(shí)以已經(jīng)得到可靠驗(yàn)證的數(shù)學(xué)模型為指導(dǎo)，必要時(shí)要對(duì)所遇到的新情況進(jìn)行嚴(yán)密的分析及可靠性論證，最終設(shè)計(jì)出滿足要求的材料。這是一個(gè)十分嚴(yán)謹(jǐn)同時(shí)又是一個(gè)反復(fù)摸索的過程，需要在實(shí)際工作中不斷加以總結(jié)與提高。
鑒于微電子工業(yè)對(duì)于材料性能要求的多樣性，不可能找到一種完全滿足各種性能要求的材料。例如IC器件所用封裝材料要求同時(shí)滿足高絕緣性和高導(dǎo)熱性，要找到這樣的材料目前是很困難的。不同的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Σ牧系男阅芤笠膊槐M相同，有時(shí)甚至是矛盾的。因此在對(duì)所使用材料進(jìn)行分子設(shè)計(jì)之前，應(yīng)該充分了解影響材料性能的各種因素，最后在綜合考察各種因素影響的前提下，找到結(jié)構(gòu)與性能**的結(jié)合點(diǎn)，從而設(shè)計(jì)出理想的材料。雖然，微電子工業(yè)對(duì)于材料的要求是多種多樣的，但是基本上所有的應(yīng)用領(lǐng)域都要求材料具有較低的介電常數(shù)、較低的吸水(潮)率和較小的熱膨脹系數(shù)(CTE)。