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  聚酰亞胺的介電常數(shù)￡為3～3．5，對(duì)溫度或頻率的依賴性很小。在室溫時(shí)體積電阻率為10¹³～10¹⁷Ω·m，而在200℃時(shí)為10¹²Ω·m，在200℃以上時(shí)，溫度對(duì)薄膜的體積電阻率的影響不大。對(duì)于介電損耗角正切，改變聚酰亞胺鏈的結(jié)構(gòu)，在室溫下tan8實(shí)際上是不變化的，其數(shù)值為(1～1．5)×10^-3。

  聚酰亞胺的介電損耗主要是由于亞胺環(huán)的極性基團(tuán)C—O而引起的，這種極性基團(tuán)的位置是對(duì)稱的，而且都位于環(huán)上，其極性的活動(dòng)受到了限制，而叔胺的氮原子的3個(gè)鍵都是C—N鍵。所以是趨向于極性抵消。因此聚酰亞胺的介電損耗角正切較低。

  聚酰亞胺有很好的耐電暈性，它比聚酰胺酰亞胺和聚有機(jī)硅氧烷要好，一般電暈老化取決于兩個(gè)化學(xué)反應(yīng)：①由于活性氧的氧化分解；②臭氧、氮氧化物的氧化反應(yīng)。而亞胺結(jié)構(gòu)和芳香族對(duì)于這些反應(yīng)的抵抗性大，也有人提出在聚酰亞胺中加入四苯基鉛和四苯基砷等有機(jī)化合物可提高耐電暈性。

  聚酰亞胺的耐電弧性不好，這是芳香族聚合物的共同缺點(diǎn)，這方面是和聚酰亞胺分子真空分解而導(dǎo)致成為半導(dǎo)體性的聚合物的傾向是一致的。